1SS387,L3F
1SS387,L3F
Modelo do Produto:
1SS387,L3F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14345 Pieces
Ficha de dados:
1SS387,L3F.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se:1.2V @ 100mA
Tensão - DC reversa (Vr) (Max):80V
Embalagem do dispositivo fornecedor:ESC
Velocidade:Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed
Série:-
Inversa de tempo de recuperação (trr):4ns
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-79, SOD-523
Outros nomes:1SS387(TL3,F,D)
1SS387(TL3FD)TR
1SS387(TL3FD)TR-ND
1SS387,L3F(B
1SS387,L3F(T
1SS387L3FTR
1SS387TL3FD
Temperatura de Operação - Junção:125°C (Max)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:1SS387,L3F
Descrição expandida:Diode Standard 80V 100mA Surface Mount ESC
Tipo Diode:Standard
Descrição:DIODE GEN PURP 80V 100MA ESC
Atual - dispersão reversa @ Vr:500nA @ 80V
Atual - rectificada média (Io):100mA
Capacitância @ Vr, F:3pF @ 0V, 1MHz
Email:[email protected]

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