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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - Bipolar (BJT) - Single > 2SA1162S-GR,LF(D
2SA1162S-GR,LF(D
2SA1162S-GR,LF(D
Modelo do Produto:
2SA1162S-GR,LF(D
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
13391 Pieces
Ficha de dados:
2SA1162S-GR,LF(D.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:300mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:PNP
Embalagem do dispositivo fornecedor:S-Mini
Série:-
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:2SA1162S-GRLF(D
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SA1162S-GR,LF(D
Frequência - Transição:80MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 150mA 80MHz 150mW Surface Mount S-Mini
Descrição:TRANSISTOR PNP 50V 150MA S-MINI
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:70 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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