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2SD1407A-Y(F)
- Modelo do Produto:
- 2SD1407A-Y(F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 100V 5A TO220NIS
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14358 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SD1407A-Y(F).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2SD1407A-Y(F), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2SD1407A-Y(F) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 100V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 2V @ 400mA, 4A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220NIS |
| Série: | - |
| Power - Max: | 30W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-220-3 Full Pack |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 2SD1407A-Y(F) |
| Frequência - Transição: | 12MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 5A 12MHz 30W Through Hole TO-220NIS |
| Descrição: | TRANS NPN 100V 5A TO220NIS |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 120 @ 1A, 5V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 5A |
| Email: | [email protected] |
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