2SK879-GR(TE85L,F)
2SK879-GR(TE85L,F)
Modelo do Produto:
2SK879-GR(TE85L,F)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
JFET N-CH 0.1W USM
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16820 Pieces
Ficha de dados:
2SK879-GR(TE85L,F).pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Cutoff (VGS off) @ Id:400mV @ 100nA
Embalagem do dispositivo fornecedor:USM
Série:-
Resistência - RDS (on):-
Power - Max:100mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:2SK879-GR(TE85LF)CT
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:2SK879-GR(TE85L,F)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8.2pF @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Descrição expandida:JFET N-Channel 2.6mA @ 10V 100mW Surface Mount USM
Escorra a tensão de fonte (Vdss):-
Descrição:JFET N-CH 0.1W USM
Atual - Drenagem (Idss) @ Vds (Vgs = 0):2.6mA @ 10V
Email:[email protected]

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