C2M1000170J
C2M1000170J
Modelo do Produto:
C2M1000170J
Fabricante:
Cree
Descrição:
MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18616 Pieces
Ficha de dados:
C2M1000170J.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.1V @ 500µA (Typ)
Vgs (Max):+25V, -10V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D2PAK (7-Lead)
Série:C2M™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:1.4 Ohm @ 2A, 20V
Dissipação de energia (Max):78W (Tc)
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-263-7 (Straight Leads)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:C2M1000170J
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:200pF @ 1000V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13nC @ 20V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1700V (1.7kV) 5.3A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount D2PAK (7-Lead)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):20V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1700V (1.7kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1700V 5.3A TO247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:5.3A (Tc)
Email:[email protected]

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