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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > C3M0280090D
C3M0280090D
C3M0280090D
Modelo do Produto:
C3M0280090D
Fabricante:
Cree
Descrição:
MOSFET N-CH 900V 11.5A
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16191 Pieces
Ficha de dados:
C3M0280090D.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.5V @ 1.2mA
Vgs (Max):+18V, -8V
Tecnologia:SiCFET (Silicon Carbide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247-3
Série:C3M™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:360 mOhm @ 7.5A, 15V
Dissipação de energia (Max):54W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:C3M0280090D
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:150pF @ 600V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:9.5nC @ 15V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 900V 11.5A (Tc) 54W (Tc) Through Hole TO-247-3
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):15V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):900V
Descrição:MOSFET N-CH 900V 11.5A
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11.5A (Tc)
Email:[email protected]

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