ECH8690-TL-H
ECH8690-TL-H
Modelo do Produto:
ECH8690-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
14612 Pieces
Ficha de dados:
ECH8690-TL-H.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-ECH
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:55 mOhm @ 2A, 10V
Power - Max:1.5W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-SMD, Flat Lead
Outros nomes:ECH8690-TL-H-ND
ECH8690-TL-HOSTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:ECH8690-TL-H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:955pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18nC @ 10V
Tipo FET:N and P-Channel
Característica FET:Logic Level Gate, 4V Drive
Descrição expandida:Mosfet Array N and P-Channel 60V 4.7A, 3.5A 1.5W Surface Mount 8-ECH
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N/P-CH 60V ECH8
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4.7A, 3.5A
Email:[email protected]

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