FCB11N60FTM
FCB11N60FTM
Modelo do Produto:
FCB11N60FTM
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12042 Pieces
Ficha de dados:
FCB11N60FTM.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:SuperFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:380 mOhm @ 5.5A, 10V
Dissipação de energia (Max):125W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FCB11N60FTMTR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FCB11N60FTM
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1490pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:52nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 11A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:11A (Tc)
Email:[email protected]

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