FDB5690
FDB5690
Modelo do Produto:
FDB5690
Fabricante:
Fairchild/ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15856 Pieces
Ficha de dados:
FDB5690.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:D²PAK (TO-263AB)
Série:PowerTrench®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:27 mOhm @ 16A, 10V
Dissipação de energia (Max):58W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:FDB5690-ND
FDB5690TR
Temperatura de operação:-65°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:FDB5690
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1120pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:33nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 32A (Tc) 58W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 32A TO-263AB
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:32A (Tc)
Email:[email protected]

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