Comprar GT10J312(Q) com BYCHPS
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GT10J312(Q)
- Modelo do Produto:
- GT10J312(Q)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- IGBT 600V 10A 60W TO220SM
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19834 Pieces
- Ficha de dados:
- GT10J312(Q).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para GT10J312(Q), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para GT10J312(Q) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 600V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2.7V @ 15V, 10A |
| Condição de teste: | 300V, 10A, 100 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 400ns/400ns |
| Alternando Energia: | - |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-220SM |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 200ns |
| Power - Max: | 60W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | GT10J312(Q) |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | - |
| Descrição expandida: | IGBT 600V 10A 60W Surface Mount TO-220SM |
| Descrição: | IGBT 600V 10A 60W TO220SM |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 20A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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