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HN1B04F(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- HN1B04F(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18649 Pieces
- Ficha de dados:
- HN1B04F(TE85L,F).pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 30V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 250mV @ 10mA, 100mA |
| Tipo transistor: | NPN, PNP |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | SM6 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 300mW |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-74, SOT-457 |
| Outros nomes: | HN1B04F (TE85L,F) HN1B04F(TE85LF)TR |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | HN1B04F(TE85L,F) |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 500mA 200MHz 300mW Surface Mount SM6 |
| Descrição: | TRANS NPN/PNP 30V 0.5A SM6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 70 @ 100mA, 1V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 100nA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 500mA |
| Email: | [email protected] |
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