HN1C01F-GR(TE85L,F
HN1C01F-GR(TE85L,F
Modelo do Produto:
HN1C01F-GR(TE85L,F
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17757 Pieces
Ficha de dados:
HN1C01F-GR(TE85L,F.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):50V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:250mV @ 10mA, 100mA
Tipo transistor:2 NPN (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SM6
Série:-
Power - Max:300mW
Embalagem:Cut Tape (CT)
Caixa / Gabinete:SC-74, SOT-457
Outros nomes:HN1C01F-GR(TE85LF)CT
HN1C01F-GR(TE85LF)CT-ND
HN1C01F-GR(TE85LFCT
Temperatura de operação:125°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:HN1C01F-GR(TE85L,F
Frequência - Transição:800MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 50V 150mA 800MHz 300mW Surface Mount SM6
Descrição:TRANS 2NPN 50V 0.15A SM6
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:120 @ 2mA, 6V
Atual - Collector Cutoff (Max):100nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):150mA
Email:[email protected]

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