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HN3C10FUTE85LF
- Modelo do Produto:
- HN3C10FUTE85LF
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- TRANSISTOR NPN US6
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19432 Pieces
- Ficha de dados:
- HN3C10FUTE85LF.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para HN3C10FUTE85LF, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para HN3C10FUTE85LF por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 12V |
|---|---|
| Tipo transistor: | 2 NPN (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | US6 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 200mW |
| Embalagem: | Cut Tape (CT) |
| Caixa / Gabinete: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Outros nomes: | HN3C10FUTE85LFCT |
| Temperatura de operação: | - |
| Fator de ruído (dB Typ @ f): | 1.1dB @ 1GHz |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | HN3C10FUTE85LF |
| Ganho: | 11.5dB |
| Frequência - Transição: | 7GHz |
| Descrição expandida: | RF Transistor 2 NPN (Dual) 12V 80mA 7GHz 200mW Surface Mount US6 |
| Descrição: | TRANSISTOR NPN US6 |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 80 @ 20mA, 10V |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 80mA |
| Email: | [email protected] |
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