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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IPB65R190CFDAATMA1
IPB65R190CFDAATMA1
IPB65R190CFDAATMA1
Modelo do Produto:
IPB65R190CFDAATMA1
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH TO263-3
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18184 Pieces
Ficha de dados:
IPB65R190CFDAATMA1.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 700µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PG-TO263
Série:Automotive, AEC-Q101, CoolMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 7.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):151W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Outros nomes:SP000928264
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:IPB65R190CFDAATMA1
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1850pF @ 100V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:68nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 650V 17.5A (Tc) 151W (Tc) Surface Mount PG-TO263
Escorra a tensão de fonte (Vdss):650V
Descrição:MOSFET N-CH TO263-3
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:17.5A (Tc)
Email:[email protected]

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