IRF6644TRPBF
IRF6644TRPBF
Modelo do Produto:
IRF6644TRPBF
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15971 Pieces
Ficha de dados:
IRF6644TRPBF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.8V @ 150µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:DIRECTFET™ MN
Série:HEXFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13 mOhm @ 10.3A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:DirectFET™ Isometric MN
Outros nomes:IRF6644TRPBFTR
SP001563476
Temperatura de operação:-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:IRF6644TRPBF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2210pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:47nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 10.3A (Ta), 60A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount DIRECTFET™ MN
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 10.3A DIRECTFET
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10.3A (Ta), 60A (Tc)
Email:[email protected]

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