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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFH58N20
IXFH58N20
IXFH58N20
Modelo do Produto:
IXFH58N20
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12365 Pieces
Ficha de dados:
IXFH58N20.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 4mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-247AD (IXFH)
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:40 mOhm @ 29A, 10V
Dissipação de energia (Max):300W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFH58N20
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:220nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 200V 58A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):200V
Descrição:MOSFET N-CH 200V 58A TO-247AD
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:58A (Tc)
Email:[email protected]

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