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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFN36N60
IXFN36N60
IXFN36N60
Modelo do Produto:
IXFN36N60
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19619 Pieces
Ficha de dados:
IXFN36N60.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 8mA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:HiPerFET™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:180 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):520W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Outros nomes:460869
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFN36N60
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:9000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:325nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 36A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 36A SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:36A
Email:[email protected]

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