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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q
IXFQ23N60Q
Modelo do Produto:
IXFQ23N60Q
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19807 Pieces
Ficha de dados:
IXFQ23N60Q.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-268
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:-
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Bulk
Caixa / Gabinete:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Temperatura de operação:-
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:IXFQ23N60Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 23A (Tc) Surface Mount TO-268
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 23A TO-268(D3)
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:23A (Tc)
Email:[email protected]

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