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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXFX220N17T2
IXFX220N17T2
IXFX220N17T2
Modelo do Produto:
IXFX220N17T2
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19392 Pieces
Ficha de dados:
IXFX220N17T2.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 8mA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:PLUS247™-3
Série:GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6.3 mOhm @ 60A, 10V
Dissipação de energia (Max):1250W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-247-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXFX220N17T2
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:31000pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:500nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 170V 220A (Tc) 1250W (Tc) Through Hole PLUS247™-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):170V
Descrição:MOSFET N-CH 170V 220A PLUS247
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:220A (Tc)
Email:[email protected]

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