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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > IXTA4N150HV
IXTA4N150HV
IXTA4N150HV
Modelo do Produto:
IXTA4N150HV
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
Status sem chumbo / Status RoHS:
Lead free by exemption / Em conformidade com a RoHS
Quantidade disponível:
14143 Pieces
Ficha de dados:
IXTA4N150HV.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-263
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:6 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):280W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXTA4N150HV
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1576pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:44.5nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1500V (1.5kV) 4A (Tc) 280W (Tc) Surface Mount TO-263
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1500V (1.5kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1.5KV 4A TO263
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A (Tc)
Email:[email protected]

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