IXTN21N100
IXTN21N100
Modelo do Produto:
IXTN21N100
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17878 Pieces
Ficha de dados:
IXTN21N100.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4.5V @ 500µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-227B
Série:MegaMOS™
RDS ON (Max) @ Id, VGS:550 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):520W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:SOT-227-4, miniBLOC
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Chassis Mount
Número de peça do fabricante:IXTN21N100
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:8400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:250nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 1000V (1kV) 21A 520W (Tc) Chassis Mount SOT-227B
Escorra a tensão de fonte (Vdss):1000V (1kV)
Descrição:MOSFET N-CH 1KV 21A SOT-227B
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:21A
Email:[email protected]

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