Comprar IXTU2N80P com BYCHPS
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VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 50µA |
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Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-251 |
Série: | PolarHV™ |
RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 6 Ohm @ 1A, 10V |
Dissipação de energia (Max): | 70W (Tc) |
Embalagem: | Tube |
Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montagem: | Through Hole |
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
Número de peça do fabricante: | IXTU2N80P |
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 440pF @ 25V |
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 10.6nC @ 10V |
Tipo FET: | N-Channel |
Característica FET: | - |
Descrição expandida: | N-Channel 800V 2A (Tc) 70W (Tc) Through Hole TO-251 |
Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 800V |
Descrição: | MOSFET N-CH TO-251 |
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 2A (Tc) |
Email: | [email protected] |