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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - IGBTs - Single > IXYP10N65C3
IXYP10N65C3
IXYP10N65C3
Modelo do Produto:
IXYP10N65C3
Fabricante:
IXYS Corporation
Descrição:
IGBT 650V 30A 160W TO220
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19916 Pieces
Ficha de dados:
IXYP10N65C3.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):650V
Vce (on) (Max) @ VGE, Ic:2.5V @ 15V, 10A
Condição de teste:400V, 10A, 50 Ohm, 15V
Td (ligar / desligar) @ 25 ° C:20ns/77ns
Alternando Energia:240µJ (on), 110µJ (off)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220AB
Série:GenX3™, XPT™
Power - Max:160W
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:IXYP10N65C3
Tipo de entrada:Standard
Tipo de IGBT:PT
portão de carga:18nC
Descrição expandida:IGBT PT 650V 30A 160W Through Hole TO-220AB
Descrição:IGBT 650V 30A 160W TO220
Atual - Collector Pulsada (ICM):54A
Atual - Collector (Ic) (Max):30A
Email:[email protected]

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