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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Arrays de transistores - Bipolar (BJT)- > MMDT2907V-7
MMDT2907V-7
MMDT2907V-7
Modelo do Produto:
MMDT2907V-7
Fabricante:
Diodes Incorporated
Descrição:
TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12922 Pieces
Ficha de dados:
MMDT2907V-7.pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max):60V
Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic:1.6V @ 50mA, 500mA
Tipo transistor:2 PNP (Dual)
Embalagem do dispositivo fornecedor:SOT-563
Série:-
Power - Max:150mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SOT-563, SOT-666
Outros nomes:MMDT2907V7
MMDT2907VDITR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:8 Weeks
Número de peça do fabricante:MMDT2907V-7
Frequência - Transição:200MHz
Descrição expandida:Bipolar (BJT) Transistor Array 2 PNP (Dual) 60V 600mA 200MHz 150mW Surface Mount SOT-563
Descrição:TRANS 2PNP 60V 0.6A SOT563
DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce:100 @ 150mA, 10V
Atual - Collector Cutoff (Max):10nA (ICBO)
Atual - Collector (Ic) (Max):600mA
Email:[email protected]

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