Comprar NGTG35N65FL2WG com BYCHPS
Compre com garantia
NGTG35N65FL2WG
- Modelo do Produto:
- NGTG35N65FL2WG
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- IGBT 650V 60A 167W TO247
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13492 Pieces
- Ficha de dados:
- NGTG35N65FL2WG.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para NGTG35N65FL2WG, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para NGTG35N65FL2WG por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 650V |
|---|---|
| Vce (on) (Max) @ VGE, Ic: | 2V @ 15V, 35A |
| Condição de teste: | 400V, 35A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ligar / desligar) @ 25 ° C: | 72ns/132ns |
| Alternando Energia: | 840µJ (on), 280µJ (off) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-247-3 |
| Série: | - |
| Power - Max: | 300W |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-247-3 |
| Outros nomes: | NGTG35N65FL2WGOS |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 4 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | NGTG35N65FL2WG |
| Tipo de entrada: | Standard |
| Tipo de IGBT: | Field Stop |
| portão de carga: | 125nC |
| Descrição expandida: | IGBT Field Stop 650V 70A 300W Through Hole TO-247-3 |
| Descrição: | IGBT 650V 60A 167W TO247 |
| Atual - Collector Pulsada (ICM): | 120A |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 70A |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para NGTG35N65FL2WG
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
FGPF30N30DTU | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 300V 46W TO220F | inquérito |
 |
IRG4RC10KD | Infineon Technologies | IGBT 600V 9A 38W DPAK | inquérito |
 |
IXYH16N170C | IXYS | 1700V/40A HIGH VOLTAGE XPT IGBT, | inquérito |
|
IRG7CH28UED | Infineon Technologies | IGBT 1200V ULTRA FAST DIE | inquérito |
 |
IXGH30N60C3D1 | IXYS | IGBT 600V 60A 220W TO247 | inquérito |
 |
STGF30H60DF | STMicroelectronics | IGBT 600V 60A 37W TO220FP | inquérito |
 |
IXGK50N60C2D1 | IXYS | IGBT 600V 75A 480W TO264AA | inquérito |
 |
FGD3N60UNDF | Fairchild/ON Semiconductor | IGBT 600V 6A 60W DPAK | inquérito |
 |
NGTG30N60FWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 167W TO247 | inquérito |
 |
IXYH24N90C3 | IXYS | IGBT 900V 46A 240W TO247 | inquérito |
|
NGTG30N60FLWG | ON Semiconductor | IGBT 600V 60A 250W TO247 | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI to reduce costs in Wireless business; OMAP™ processors and wireless connectivity solutions will focus on embedded markets
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers