NTD80N02-001
NTD80N02-001
Modelo do Produto:
NTD80N02-001
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Contém chumbo / RoHS não compatível
Quantidade disponível:
15751 Pieces
Ficha de dados:
NTD80N02-001.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:I-Pak
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:5.8 mOhm @ 80A, 10V
Dissipação de energia (Max):75W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Outros nomes:NTD80N02-001OS
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTD80N02-001
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2600pF @ 20V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:42nC @ 4.5V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 24V 80A (Tc) 75W (Tc) Through Hole I-Pak
Escorra a tensão de fonte (Vdss):24V
Descrição:MOSFET N-CH 24V 80A IPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:80A (Tc)
Email:[email protected]

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