NTMKE4892NT1G
Modelo do Produto:
NTMKE4892NT1G
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18496 Pieces
Ficha de dados:
NTMKE4892NT1G.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.4V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:2.6 mOhm @ 24A, 10V
Dissipação de energia (Max):2.8W (Ta), 89W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:5-ICEPAK
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:NTMKE4892NT1G
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:4270pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:61nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 26A (Ta), 148A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount 4-ICEPAK - E1 PAD (6.3x4.9)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 126A ICEPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:26A (Ta), 148A (Tc)
Email:[email protected]

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