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PSMN102-200Y,115
- Modelo do Produto:
- PSMN102-200Y,115
- Fabricante:
- Nexperia
- Descrição:
- MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15786 Pieces
- Ficha de dados:
- PSMN102-200Y,115.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para PSMN102-200Y,115, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para PSMN102-200Y,115 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | LFPAK56, Power-SO8 |
| Série: | TrenchMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 102 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 113W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | SC-100, SOT-669 |
| Outros nomes: | 1727-5227-2 568-6544-2 568-6544-2-ND 934061323115 PSMN102-200Y T/R PSMN102-200Y T/R-ND PSMN102-200Y,115-ND PSMN102200Y115 |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | PSMN102-200Y,115 |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1568pF @ 30V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 30.7nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 200V 21.5A (Tc) 113W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8 |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 200V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 200V 21.5A LFPAK |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 21.5A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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