SI6969BDQ-T1-GE3
Modelo do Produto:
SI6969BDQ-T1-GE3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15275 Pieces
Ficha de dados:
SI6969BDQ-T1-GE3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:800mV @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSSOP
Série:TrenchFET®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:30 mOhm @ 4.6A, 4.5V
Power - Max:830mW
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SI6969BDQ-T1-GE3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:-
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:25nC @ 4.5V
Tipo FET:2 P-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 12V 4A 830mW Surface Mount 8-TSSOP
Escorra a tensão de fonte (Vdss):12V
Descrição:MOSFET 2P-CH 12V 4A 8TSSOP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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