SPD11N10
SPD11N10
Modelo do Produto:
SPD11N10
Fabricante:
International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16783 Pieces
Ficha de dados:
SPD11N10.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:4V @ 21µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:P-TO252-3
Série:SIPMOS®
RDS ON (Max) @ Id, VGS:170 mOhm @ 7.8A, 10V
Dissipação de energia (Max):50W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Outros nomes:SP000013847
SPD11N10INTR
SPD11N10XT
SPD11N10XT-ND
Temperatura de operação:-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:SPD11N10
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:400pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:18.3nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 100V 10.5A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount P-TO252-3
Escorra a tensão de fonte (Vdss):100V
Descrição:MOSFET N-CH 100V 10.5A DPAK
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10.5A (Tc)
Email:[email protected]

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