SSM6J507NU,LF
SSM6J507NU,LF
Modelo do Produto:
SSM6J507NU,LF
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
12022 Pieces
Ficha de dados:
SSM6J507NU,LF.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Vgs (Max):+20V, -25V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-UDFNB (2x2)
Série:U-MOSVI
RDS ON (Max) @ Id, VGS:20 mOhm @ 4A, 10V
Dissipação de energia (Max):1.25W (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:SSM6J507NU,LF(B
SSM6J507NU,LF(T
SSM6J507NULFTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM6J507NU,LF
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1150pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:20.4nC @ 4.5V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 10A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount 6-UDFNB (2x2)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 10A 6UDFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:10A (Ta)
Email:[email protected]

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