SSM6N55NU,LF(T
SSM6N55NU,LF(T
Modelo do Produto:
SSM6N55NU,LF(T
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
15133 Pieces
Ficha de dados:
SSM6N55NU,LF(T.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 100µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-µDFN(2x2)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:46 mOhm @ 4A, 10V
Power - Max:1W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-WDFN Exposed Pad
Outros nomes:SSM6N55NU,LF
SSM6N55NU,LF(B
SSM6N55NULF
SSM6N55NULF(TTR
SSM6N55NULFTR
SSM6N55NULFTR-ND
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:12 Weeks
Número de peça do fabricante:SSM6N55NU,LF(T
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:280pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:2.5nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual)
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 4A 1W Surface Mount 6-µDFN(2x2)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:4A
Email:[email protected]

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