TC58NVG1S3HBAI6
TC58NVG1S3HBAI6
Modelo do Produto:
TC58NVG1S3HBAI6
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
17539 Pieces
Ficha de dados:
TC58NVG1S3HBAI6.pdf

Introdução

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Especificações

Tensão - Fornecimento:2.7 V ~ 3.6 V
Embalagem do dispositivo fornecedor:67-VFBGA (6.5x8)
Velocidade:25ns
Série:-
Embalagem:Tray
Caixa / Gabinete:67-VFBGA
Outros nomes:TC58NVG1S3HBAI6JD0
TC58NVG1S3HBAI6JDH
TC58NVG1S3HBAI6YCL
Temperatura de operação:-40°C ~ 85°C (TA)
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):3 (168 Hours)
Tipo de memória:Non-Volatile
Tamanho da memória:2Gb (256M x 8)
Formato de memória:EEPROM
Número de peça do fabricante:TC58NVG1S3HBAI6
Interface:Parallel
Descrição:IC EEPROM 2GBIT 25NS 67VFBGA
Email:[email protected]

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