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TH58BYG2S3HBAI6
- Modelo do Produto:
- TH58BYG2S3HBAI6
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 14102 Pieces
- Ficha de dados:
- TH58BYG2S3HBAI6.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para TH58BYG2S3HBAI6, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para TH58BYG2S3HBAI6 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Fornecimento: | 1.7 V ~ 1.95 V |
|---|---|
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | 67-VFBGA (6.5x8) |
| Velocidade: | 25ns |
| Série: | Benand™ |
| Embalagem: | Tray |
| Caixa / Gabinete: | 67-VFBGA |
| Outros nomes: | TH58BYG2S3HBAI6JDH TH58BYG2S3HBAI6YCL |
| Temperatura de operação: | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Tipo de memória: | Non-Volatile |
| Tamanho da memória: | 4Gb (512M x 8) |
| Formato de memória: | EEPROM |
| Número de peça do fabricante: | TH58BYG2S3HBAI6 |
| Interface: | Parallel |
| Descrição: | IC EEPROM 4GBIT 25NS 67FBGA |
| Email: | [email protected] |
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