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Casa > Produtos > Discrete Semiconductor Products > Transistores - FETs, MOSFETs - Single > TK12A60U(Q,M)
TK12A60U(Q,M)
TK12A60U(Q,M)
Modelo do Produto:
TK12A60U(Q,M)
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19676 Pieces
Ficha de dados:
1.TK12A60U(Q,M).pdf2.TK12A60U(Q,M).pdf
inquérito

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 1mA
Vgs (Max):±30V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-220SIS
Série:DTMOSII
RDS ON (Max) @ Id, VGS:400 mOhm @ 6A, 10V
Dissipação de energia (Max):35W (Tc)
Embalagem:Tube
Caixa / Gabinete:TO-220-3 Full Pack
Outros nomes:TK12A60U(Q)
TK12A60U(Q)-ND
TK12A60U(QM)
TK12A60UQ-ND
TK12A60UQM
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Through Hole
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TK12A60U(Q,M)
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:720pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:14nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 600V 12A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N-CH 600V 12A TO220SIS
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:12A (Ta)
Email:[email protected]

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