TK16V60W,LVQ
TK16V60W,LVQ
Modelo do Produto:
TK16V60W,LVQ
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
18616 Pieces
Ficha de dados:
TK16V60W,LVQ.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3.7V @ 790µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:5-DFN (8x8)
Série:DTMOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:190 mOhm @ 7.9A, 10V
Dissipação de energia (Max):139W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:4-VSFN Exposed Pad
Outros nomes:TK16V60WLVQTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TK16V60W,LVQ
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1350pF @ 300V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:38nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:Super Junction
Descrição expandida:N-Channel 600V 15.8A (Ta) 139W (Tc) Surface Mount 5-DFN (8x8)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):600V
Descrição:MOSFET N CH 600V 15.8A 5DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:15.8A (Ta)
Email:[email protected]

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