TPCC8009,LQ(O
Modelo do Produto:
TPCC8009,LQ(O
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16327 Pieces
Ficha de dados:
TPCC8009,LQ(O.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:3V @ 200µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-TSON Advance (3.3x3.3)
Série:U-MOSIV
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7 mOhm @ 12A, 10V
Dissipação de energia (Max):-
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPCC8009LQ(O
TPCC8009LQO
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:TPCC8009,LQ(O
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1270pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:26nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 24A (Ta) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:24A (Ta)
Email:[email protected]

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