TPH7R006PL,L1Q
Modelo do Produto:
TPH7R006PL,L1Q
Fabricante:
Toshiba Semiconductor
Descrição:
X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19192 Pieces
Ficha de dados:
TPH7R006PL,L1Q.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 200µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-SOP Advance (5x5)
Série:U-MOSIX-H
RDS ON (Max) @ Id, VGS:13.5 mOhm @ 10A, 4.5V
Dissipação de energia (Max):81W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-PowerVDFN
Outros nomes:TPH7R006PL,L1Q(M
TPH7R006PLL1Q
TPH7R006PLL1QTR
Temperatura de operação:175°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Tempo de entrega padrão do fabricante:16 Weeks
Número de peça do fabricante:TPH7R006PL,L1Q
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1875pF @ 30V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:22nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 60A 81W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):4.5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:60A
Email:[email protected]

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