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1N3890
- Modelo do Produto:
- 1N3890
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 100V 12A DO4
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18245 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.1N3890.pdf2.1N3890.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.4V @ 12A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 100V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-4 |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 200ns |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Outros nomes: | 1N3890GN |
| Temperatura de Operação - Junção: | -65°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Chassis, Stud Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 1N3890 |
| Descrição expandida: | Diode Standard 100V 12A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 100V 12A DO4 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 25µA @ 50V |
| Atual - rectificada média (Io): | 12A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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