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1N5830
- Modelo do Produto:
- 1N5830
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 18416 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.1N5830.pdf2.1N5830.pdf
Introdução
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Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 580mV @ 25A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 25V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | DO-4 |
| Velocidade: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Série: | - |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | DO-203AA, DO-4, Stud |
| Outros nomes: | 1N5830GN |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 150°C |
| Tipo de montagem: | Chassis, Stud Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 1N5830 |
| Descrição expandida: | Diode Schottky 25V 25A Chassis, Stud Mount DO-4 |
| Tipo Diode: | Schottky |
| Descrição: | DIODE SCHOTTKY 25V 25A DO4 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 2mA @ 20V |
| Atual - rectificada média (Io): | 25A |
| Capacitância @ Vr, F: | - |
| Email: | [email protected] |
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