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1N8026-GA
- Modelo do Produto:
- 1N8026-GA
- Fabricante:
- GeneSiC Semiconductor
- Descrição:
- DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Contém chumbo / RoHS não compatível
- Quantidade disponível:
- 15844 Pieces
- Ficha de dados:
- 1N8026-GA.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 1N8026-GA, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 1N8026-GA por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.6V @ 2.5A |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 1200V (1.2kV) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-257 |
| Velocidade: | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Série: | - |
| Inversa de tempo de recuperação (trr): | 0ns |
| Embalagem: | Tube |
| Caixa / Gabinete: | TO-257-3 |
| Outros nomes: | 1242-1113 1N8026GA |
| Temperatura de Operação - Junção: | -55°C ~ 250°C |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 18 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 1N8026-GA |
| Descrição expandida: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 8A (DC) Through Hole TO-257 |
| Tipo Diode: | Silicon Carbide Schottky |
| Descrição: | DIODE SILICON 1.2KV 8A TO257 |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 1200V |
| Atual - rectificada média (Io): | 8A (DC) |
| Capacitância @ Vr, F: | 237pF @ 1V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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