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1SS307(TE85L,F)
- Modelo do Produto:
- 1SS307(TE85L,F)
- Fabricante:
- Toshiba Semiconductor
- Descrição:
- DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 15003 Pieces
- Ficha de dados:
- 1SS307(TE85L,F).pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 1SS307(TE85L,F), temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 1SS307(TE85L,F) por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Forward (FV) (Max) @ Se: | 1.3V @ 100mA |
|---|---|
| Tensão - DC reversa (Vr) (Max): | 30V |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | S-Mini |
| Velocidade: | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
| Série: | - |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Outros nomes: | 1SS307(TE85LF)TR |
| Temperatura de Operação - Junção: | 125°C (Max) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | 1SS307(TE85L,F) |
| Descrição expandida: | Diode Standard 30V 100mA Surface Mount S-Mini |
| Tipo Diode: | Standard |
| Descrição: | DIODE GEN PURP 30V 100MA SMINI |
| Atual - dispersão reversa @ Vr: | 10µA @ 30V |
| Atual - rectificada média (Io): | 100mA |
| Capacitância @ Vr, F: | 6pF @ 0V, 1MHz |
| Email: | [email protected] |
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