2N7002-T1-E3
Modelo do Produto:
2N7002-T1-E3
Fabricante:
Vishay / Siliconix
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19094 Pieces
Ficha de dados:
2N7002-T1-E3.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.5V @ 250µA
Vgs (Max):±20V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:TO-236
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:7.5 Ohm @ 500mA, 10V
Dissipação de energia (Max):200mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Outros nomes:2N7002-T1-E3-ND
2N7002-T1-E3TR
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Tempo de entrega padrão do fabricante:15 Weeks
Número de peça do fabricante:2N7002-T1-E3
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:50pF @ 25V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:-
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 60V 115mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount TO-236
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):5V, 10V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):60V
Descrição:MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:115mA (Ta)
Email:[email protected]

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