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2SC6017-E
- Modelo do Produto:
- 2SC6017-E
- Fabricante:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Descrição:
- TRANS NPN 50V 10A TP
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 16602 Pieces
- Ficha de dados:
- 2SC6017-E.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para 2SC6017-E, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para 2SC6017-E por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - emissor de coletor de Breakdown (Max): | 50V |
|---|---|
| Vce Saturação (Max) @ Ib, Ic: | 360mV @ 250mA, 5A |
| Tipo transistor: | NPN |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TP |
| Série: | - |
| Power - Max: | 950mW |
| Embalagem: | Bulk |
| Caixa / Gabinete: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Outros nomes: | 2SC6017-E-ND 2SC6017-EOS |
| Temperatura de operação: | 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Through Hole |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 2 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | 2SC6017-E |
| Frequência - Transição: | 200MHz |
| Descrição expandida: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP |
| Descrição: | TRANS NPN 50V 10A TP |
| DC ganho de corrente (HFE) (min) @ Ic, Vce: | 200 @ 1A, 2V |
| Atual - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Atual - Collector (Ic) (Max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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