3LP01M-TL-H
3LP01M-TL-H
Modelo do Produto:
3LP01M-TL-H
Fabricante:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrição:
MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16004 Pieces
Ficha de dados:
3LP01M-TL-H.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:-
Vgs (Max):±10V
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:3-MCP
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:10.4 Ohm @ 50mA, 4V
Dissipação de energia (Max):150mW (Ta)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:SC-70, SOT-323
Outros nomes:3LP01M-TL-H-ND
3LP01M-TL-HOSTR
Temperatura de operação:150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:3LP01M-TL-H
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:7.5pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:1.43nC @ 10V
Tipo FET:P-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount 3-MCP
Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado):1.5V, 4V
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET P-CH 30V 0.1A MCP
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:100mA (Ta)
Email:[email protected]

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