Comprar A2I20H060GNR1 com BYCHPS
Compre com garantia
A2I20H060GNR1
- Modelo do Produto:
- A2I20H060GNR1
- Fabricante:
- NXP Semiconductors / Freescale
- Descrição:
- IC TRANS RF LDMOS
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 12709 Pieces
- Ficha de dados:
- A2I20H060GNR1.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para A2I20H060GNR1, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para A2I20H060GNR1 por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| Tensão - Teste: | 28V |
|---|---|
| Tensão - M: | 65V |
| Tipo transistor: | LDMOS (Dual) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-270WBG-15 |
| Série: | - |
| Potência: | 12W |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-270-14 Variant, Gull Wing |
| Outros nomes: | 935316306528 |
| Fator de ruído: | - |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 10 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | A2I20H060GNR1 |
| Ganho: | 28.9dB |
| Freqüência: | 1.84GHz |
| Descrição expandida: | RF Mosfet LDMOS (Dual) 28V 24mA 1.84GHz 28.9dB 12W TO-270WBG-15 |
| Descrição: | IC TRANS RF LDMOS |
| Potência nominal: | - |
| Atual - Teste: | 24mA |
| Email: | [email protected] |
Peças relacionadas para A2I20H060GNR1
| Imagem | Modelo do Produto | Fabricantes | Descrição | Visão |
|---|---|---|---|---|
 |
A2I20H060NR1 | NXP USA Inc. | IC TRANS RF LDMOS | inquérito |
 |
BLS6G2731S-130,112 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 60V 12DB SOT9221 | inquérito |
 |
BLS7G2729LS-350P,1 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 13DB SOT539B | inquérito |
 |
BF245A | ON Semiconductor | JFET N-CH 30V 100MA TO92 | inquérito |
 |
PTFA092201E V1 | Infineon Technologies | FET RF 65V 960MHZ H-36260-2 | inquérito |
|
BLF188XRSU | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 135V 24.4DB SOT539B | inquérito |
 |
PTFA220121MV4XUMA1 | Infineon Technologies | FET RF LDMOS 10W SON10 | inquérito |
 |
AFT21H350W04GSR6 | NXP USA Inc. | FET RF 2CH 65V 2.11GHZ | inquérito |
 |
MRF6V4300NR1 | NXP USA Inc. | FET RF 110V 450MHZ TO-270-4 | inquérito |
|
MRF19030LSR5 | NXP USA Inc. | FET RF 65V 1.96GHZ NI-400S | inquérito |
 |
BLF6G22LS-100,118 | Ampleon USA Inc. | RF FET LDMOS 65V 18.2DB SOT502B | inquérito |
Latest Notícias
- Xilinx Ships Industry's First 16nm All Programmable MPSoC Ahead of Schedule
- Xilinx and Samsung Jointly Enable the World's First 5G NR Commercial Deployment
- TI's Peter Balyta to head Education Technology division; Melendy Lovett to retire
- Janet Clark to join TI board of directors
- TI unveils DLP® 0.66-inch 4K ultra-high definition (UHD) chip, enabling more affordable large screen projection displays for home, business and education
- GCHQ Director calls for international cyber pact
- Embedded World: Arm introduces fourth security element to PSA
- Last chance: Nominate BrightSparks before 28 February
- Embedded World 2019: Get the full Electronics Weekly Guide
- "Xcell Journal" Special Edition: Xilinx Customers Shape a Brilliant Future
- Xilinx Launches Public Access of the SDSoC Development Environment to Expand Zynq SoC User Base to Broad Community of Systems and Software Engineers
- Texas Instruments names Haviv Ilan senior vice president of High Performance Analog