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AOB11S65L
- Modelo do Produto:
- AOB11S65L
- Fabricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descrição:
- MOSFET N-CH 650V 11A TO263
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 13022 Pieces
- Ficha de dados:
- 1.AOB11S65L.pdf2.AOB11S65L.pdf
Introdução
BYCHIPS é o distribuidor de estocagem para AOB11S65L, temos as ações para envio imediato e também disponível para fornecimento de longo tempo. Por favor envie-nos o seu plano de compra para AOB11S65L por e-mail, nós lhe daremos o melhor preço de acordo com o seu plano.
Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 250µA |
|---|---|
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Embalagem do dispositivo fornecedor: | TO-263 (D²Pak) |
| Série: | aMOS™ |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 399 mOhm @ 5.5A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 198W (Tc) |
| Embalagem: | Tape & Reel (TR) |
| Caixa / Gabinete: | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Outros nomes: | AOB11S65L-ND |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Tempo de entrega padrão do fabricante: | 16 Weeks |
| Número de peça do fabricante: | AOB11S65L |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 646pF @ 100V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 13.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 650V 11A (Tc) 198W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak) |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 650V |
| Descrição: | MOSFET N-CH 650V 11A TO263 |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 11A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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