AON5810
AON5810
Modelo do Produto:
AON5810
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
16107 Pieces
Ficha de dados:
1.AON5810.pdf2.AON5810.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:1V @ 250µA
Embalagem do dispositivo fornecedor:6-DFN-EP (2x5)
Série:-
RDS ON (Max) @ Id, VGS:18 mOhm @ 7.7A, 4.5V
Power - Max:1.6W
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:6-SMD, Flat Lead Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:AON5810
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:1360pF @ 10V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:13.1nC @ 4.5V
Tipo FET:2 N-Channel (Dual) Common Drain
Característica FET:Logic Level Gate
Descrição expandida:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 7.7A 1.6W Surface Mount 6-DFN-EP (2x5)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):20V
Descrição:MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 6DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:7.7A
Email:[email protected]

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