AON6508_101
Modelo do Produto:
AON6508_101
Fabricante:
Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
Descrição:
MOSFET N-CH DFN
Status sem chumbo / Status RoHS:
Sem chumbo / acordo com RoHS
Quantidade disponível:
19733 Pieces
Ficha de dados:
AON6508_101.pdf

Introdução

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Especificações

VGS (th) (Max) @ Id:2.2V @ 250µA
Tecnologia:MOSFET (Metal Oxide)
Embalagem do dispositivo fornecedor:8-DFN (5x6)
Série:AlphaMOS
RDS ON (Max) @ Id, VGS:3.2 mOhm @ 20A, 10V
Dissipação de energia (Max):4.2W (Ta), 41W (Tc)
Embalagem:Tape & Reel (TR)
Caixa / Gabinete:8-VDFN Exposed Pad
Temperatura de operação:-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem:Surface Mount
Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL):1 (Unlimited)
Número de peça do fabricante:AON6508_101
Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds:2010pF @ 15V
Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs:49nC @ 10V
Tipo FET:N-Channel
Característica FET:-
Descrição expandida:N-Channel 30V 29A (Ta), 32A (Tc) 4.2W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-DFN (5x6)
Escorra a tensão de fonte (Vdss):30V
Descrição:MOSFET N-CH DFN
Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C:29A (Ta), 32A (Tc)
Email:[email protected]

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