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AON6532P
- Modelo do Produto:
- AON6532P
- Fabricante:
- Alpha and Omega Semiconductor, Inc.
- Descrição:
- MOSFET N-CH DFN
- Status sem chumbo / Status RoHS:
- Sem chumbo / acordo com RoHS
- Quantidade disponível:
- 19970 Pieces
- Ficha de dados:
- AON6532P.pdf
Introdução
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Especificações
| VGS (th) (Max) @ Id: | 710mV @ 1A |
|---|---|
| Vgs (Max): | ±20V |
| Tecnologia: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Série: | - |
| RDS ON (Max) @ Id, VGS: | 4.1 mOhm @ 20A, 10V |
| Dissipação de energia (Max): | 35.7W (Tc) |
| Temperatura de operação: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo de montagem: | Surface Mount |
| Nível de Sensibilidade à Humidade (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Número de peça do fabricante: | AON6532P |
| Capacitância de Entrada (Ciss) (Max) @ Vds: | 1080pF @ 15V |
| Carga de Porta (Qg) (Max) @ Vgs: | 17.2nC @ 10V |
| Tipo FET: | N-Channel |
| Característica FET: | - |
| Descrição expandida: | N-Channel 30V 68A 35.7W (Tc) Surface Mount |
| Voltagem da unidade (Rds máximo ligado, Rds mínimo ligado): | 10V |
| Escorra a tensão de fonte (Vdss): | 30V |
| Descrição: | MOSFET N-CH DFN |
| Corrente - Drenagem Contínua (Id) @ 25 ° C: | 68A |
| Email: | [email protected] |
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